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A millimeter-wave down-converter employing an on-chip balun transformer with improved common-mode rejection ratio is presented for 5G direct-conversion receiver. The down-converter consists of a down-conversion mixer and local-oscillator (LO) buffer. The down-converter was implemented in a 65-nm CMOS process. It consumes a power of 13.7 mW from a 1-V supply voltage. It shows a gain greater than 11 dB, a noise figure of approximately 9 dB and a third-order output intercept point higher than 13 dBm when LO input power is -10 dBm in the frequency ranges from 26.5 GHz to 29.5 GHz.

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(A) 28-GHz CMOS power amplifier with ribbon cell Younseok Han, Seungchan Lee, Dong-Ho Lee, Gwanghyeon Jeong p. [1-6]

CNN inference accelerator optimized for AI applications for object detection Bogeun Jung, Wooyoung Park, Hyungwon Kim p. [1-6]

Performance improvement analysis of fNIRS IC Bumjun Koh, Kyeongha Kwon, Hyeon-Min Bae p. [1-9]

(An) optoelectronic read-out IC for indoor-monitoring LiDAR sensors in 180-nm CMOS Shinhae Choi, Yeojin Chon, Sung Min Park p. [1-5]

(A) 28-GHz down-converter for 5G direct-conversion receivers in 65-nm CMOS technology Jinman Myung, Geonwoo Park, Ho Kim, Youngseok Kwak, Ilku Nam p. [1-5]

(The) closed-loop neural interface available simultaneously recording and stimulation using fast convergence stimulation artifact removal Geunchang Seong, Jaeouk Cho, Hee Young Jung, Chul Kim p. [1-6]

Design study of a 240-GHz amplifier frequency doubler chain based on SiGe BiCMOS technology Giyeong Nam, Wooyong Keum, Jae-Sung Rieh p. [1-5]

(A) V-band CMOS frequency doubler in 65 nm CMOS In Cheol Yoo, Dong Ouk Cho, Chul Woo Byeon p. [1-5]

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