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표제지=0,1,5
목차=0,6,1
Abstract=i,7,3
1./(제1장) 서론=1,10,2
2. 이론적 배경=3,12,1
2.1 질화물반도체의 물성=3,12,4
2.2 브래그 반사경의 시뮬레이션=7,16,6
3. Si (111) 기판위에 GaN 박막과 InGaN/GaN MQW 구조의 성장 및 특성=13,22,2
3.1 실리콘 기판의 전처리 과정=15,24,1
3.2 실험 방법=16,25,2
3.3 AIN/GaN 초격자 층의 주기에 따른 GaN 박막의 특성=18,27,8
3.4 GaN 중간층 두께에 따른 GaN 박막의 특성=26,35,8
3.5 410nm 파장의 InGaN/GaN MQW 구조 성장=34,43,5
4. 유전체 브래그 반사경을 갖는 GaN micro-cavity 구조의 제작=39,48,14
5./(제5장) 결론=53,62,2
참고문헌=55,64,4
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