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논문명/저자명
Si(111) 기판위에 InGaN/GaN QW 구조 성장 및 410 nm GaN micro-cavity 구조의 제작 / 김태기 인기도
발행사항
전주 : 전북대학교 대학원, 2006.2
청구기호
TM 620.112973 ㄱ936s
형태사항
iii, 58 p. ; 26 cm
자료실
전자자료
제어번호
KDMT1200651711
주기사항
학위논문(석사) -- 전북대학교 대학원, 반도체과학기술학, 2006.2
원문
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국문목차

표제지=0,1,5

목차=0,6,1

Abstract=i,7,3

1./(제1장) 서론=1,10,2

2. 이론적 배경=3,12,1

2.1 질화물반도체의 물성=3,12,4

2.2 브래그 반사경의 시뮬레이션=7,16,6

3. Si (111) 기판위에 GaN 박막과 InGaN/GaN MQW 구조의 성장 및 특성=13,22,2

3.1 실리콘 기판의 전처리 과정=15,24,1

3.2 실험 방법=16,25,2

3.3 AIN/GaN 초격자 층의 주기에 따른 GaN 박막의 특성=18,27,8

3.4 GaN 중간층 두께에 따른 GaN 박막의 특성=26,35,8

3.5 410nm 파장의 InGaN/GaN MQW 구조 성장=34,43,5

4. 유전체 브래그 반사경을 갖는 GaN micro-cavity 구조의 제작=39,48,14

5./(제5장) 결론=53,62,2

참고문헌=55,64,4

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