[표제지 등]
제출문
요약문
SUMMARY
목차
제1장 서론 13
제1절 연구개발사업의 배경 및 필요성 13
제2절 연구개발 목표 및 내용 13
1. 연구개발의 최종목표 13
2. 연차별 연구개발목표 및 내용 14
제3절 추진전략 및 방법 15
제4절 연구개발 추진체계 15
제5절 연구결과 평가의 착안점 및 척도 16
제2장 국내외 비냉각 센서 기술개발 현황 17
제1절 비냉각형 IR센서의 동작원리 및 압력, 온도 센서로의 응용 17
제2절 Sensor array의 구현 19
제3장 다층 박막 형성 21
제1절 집적IR센서 소자용 다층박막의 구조 21
제2절 Ion beam sputtering 이용한 백금 하부전극 증착 및 계면특성 22
1. 서론 22
2. 증착 방법 및 실험 조건 22
3. XRD에 의한 하부전극의 결정구조 분석 24
가. Si 기판 위 Pt 박막 증착 25
나. Si 기판과 Pt 하부전극 사이의 Ti 완충막 증착 26
다. Rf sputtering에 의해 증착된 Pt 하부전극과의 결정성 비교 분석 26
라. GaAs 기판 위에 증착된 Pt 하부전극의 결정구조 분석 26
제3절 MOCVD에 의한 산화물 박막증착 27
1. 서론 27
2. 증착방법 및 실험 조건 28
3. 결과 및 논의 28
제4절 Sol-Gel에 의한 다층 박막 증착 31
1. 서론 31
2. 증착방법 및 실험 조건 32
가. 코팅용 졸의 제조 32
나. 박막의 스핀 코팅, 건조 및 열처리 32
3. 결정성 거동 34
제4장 적외선(InfraRed) 센서용 실리콘질화막(SixNy[이미지 참조]) 멤브레인(membrane)의 제작 37
제1절 서론 37
1. 기존의 멤브레인 제작 방법 및 응용 예 37
2. 기존 멤브레인 제작방법에서의 문제점 제기 38
3. 본 연구에서 제안하는 적외선 센서용 멤브레인 제작방법의 필요성, 당위성, 목적 38
제2절 본 연구에서 제안하는 멤브레인의 제작방법 39
제3절 제작된 멤브레인의 특정 및 고찰 43
제4절 향후 연구계획 44
제5장 광학적 특성 연구 -센서의 동작 특성 47
제1절 서론 47
제2절 실험 방법 48
1. 탐지도 측정 방법 48
2. 실험장치 49
제3절 실험결과 51
1. Black body Source로 부터의 적외선 센서에 입사되는 광량 51
2. 신호전압의 측정 54
3. 잡음전압의 측정 55
4. 탐지도의 측정 57
제4절 결론 58
제6장 결론 및 차기년도 계획 59
참고문헌 61
Contents
[title page etc.] 1
SUMMARY 7
Chapter 1. Introduction 13
Section 1. Importance of the project 13
Section 2. Objective of the project 13
1. Final objective 13
2. Yearly objectives 14
Section 3. Project schedules 15
Section 4. Project planning 15
Section 5./Section 4. Evaluation points 16
Chapter 2. Current status of uncooled sensor technology 17
Section 1. Principal of IR sensor and their application 17
Section 2. Road to sensor array 19
Chapter 3. Fabrication of multilayered thin films 21
Section 1. Structure of multilayer for integrated IR sensor 21
Section 2. Deposition of Pt bottom electrode by Ion beam sputtering 22
1. Introduction 22
2. Method and experimental conditions 22
3. Structural properties by XRD 24
A. Thin film on Pt/Si 25
B. Thin film on Pt/Ti/Si 26
C. Comparison to thin films by rf sputtering 26
D. Structural properties of thin films on GaAs 26
Section 3. Oxide thin films by MOCVD 27
1. Introduction 27
2. Method and experimental conditions 28
3. Result and discussion 28
Section 4. PbTiO₃ films by sol-gel 31
1. Introduction 31
2. Experimental 32
A. Preparation of sol for coating 32
B. Coating procedure 32
3. Crystalline behavior 34
Chapter 4. Fabrication of Si_xN_y membrane IR sensor 37
Section 1. Introduction 37
1. Method of membrane fabrication 37
2. Difficulties of membrane fabrication 38
3. Suggested membrane structure for IR sensor 38
Section 2. Method to fabricate suggested membrane 39
Section 3. Characteristics of fabricated membrane 43
Section 4. Future work 44
Chapter5. Optical and operational properties of IR sensor 47
Section 1. Introduction 47
Section 2. Experimental method 48
1. Method to measure parameters 48
2. Experimental setup 49
Section 3. Result and discussion 51
1. Radiation to IR sensor from black body source 51
2. Signal voltage measurement 54
3. Noise voltage measurement 55
4. Normalized detectivity measurement 57
Section 4. Conclusion 58
Chapter 6. Conclusion and further work 59
References 61