열활성지연형광(TADF)은 인광과 달리 순수 유기 재료를 사용하여 발광체를 만들어 발광 효율을 높인 발광 방식이다. 순수 유기 재료를 이용하기에 백금, 이리듐 금속과 같은 값 비싼 재료들을 사용하지 않고 제작을 할 수 있다는 점, 기존 형광 방식과 달리 100%의 내부양자효율을 달성할 수 있어 소자의 효율적인 측면에서 유리하다는 점이 있어 차세대 발광체로 주목받고 있다. TADF를 활용하기 위해서는 발광체의 전자 주개와 전자 받개의 분리로 HOMO, LUMO level의 분리가 이뤄져야 한다. 이러한 구조(Donor-Acceptor)를 가진 발광체들은 BCO의 ³LE(T₂)와 전자 주개의 ³CT(S₁) 사이의 강한 spin-orbit coupling(SOC)을 가지게 된다. 그렇기에 삼중항과 단일항의 에너지 차이가 줄여져 상온의 열 에너지로 역계간 전이(RISC)가 일어난다. RISC가 빠르게 일어날수록, 여기자와 관련된 quenching 과정이 줄어들수록 TADF-OLEDs의 효율 증가를 기대할 수 있는데. 본 연구에서는 π 결합이 확장된 3가지의 boron-carbonyl (BCO) acceptor를 이용하여 각각의 도펀트를 구성하여 OLED 자체의 특성 변화 및 TADF 특성이 변화하는 것을 확인하였다. 또한, 고효율의 TADF OLED 소자인 것을 106s-1 수준의 빠른 역계간 전이가 일어나는 것을 통해 확인하였고 PXZBAO, PXZBTO, PXZBPO 발광체를 사용한 소자의 외부발광효율은 13.9%, 15.5% 17.7%인 것을 확인하였고 이는 이론적인 계산값과 유사한 것도 확인하였다.