구리박막에 대한 원자층 식각은 diketone 물질 중 하나인 acetylacetone 유기가스와 acetylacetone/O₂ 혼합가스를 이용하여 구리의 표면반응을 유도하여 표면개질을 시도하였고 그 이후에 Ar 플라즈마를 사용하여 개질된 구리표면을 제거하는 2 단계로 진행되었다. Acetylacetone/O₂ 혼합가스의 유량과 노출 시간을 변화시켜 표면 개질 단계를 최적화하여 구리 화합물을 형성하였다. 두번째 단계에서는 기판에 대한 DC 바이어스 전압과 Ar sputtering 시간을 변화하여 구리 화합물을 제거하였다.
1 단계에서 표면 개질된 구리박막층과 2 단계에서 Ar 플라즈마로 식각된 표면은 X-ray photoelectron spectroscopy 및 energy dispersive X-ray spectroscopy 를 통해 조사되었다. 사이클당 식각속도는 1 단계의 고정된 노출 조건에서 2 단계의 Ar sputtering 의 조건에 따라 1 사이클 당 0.7-3.0 nm 범위로 평가되었다. SiO₂ 로 mask 된 구리 박막의 원자층 식각은 최적화된 식각조건에서 재증착 없이 우수한 식각 프로파일을 나타냈다. Acetylacetone/O₂ 혼합가스 노출과 Ar sputtering 의 2 단계를 포함하는 원자층 식각법은 구리박막에 대하여 미세 패턴을 형성할 수 있는 중요한 식각방법이 될 수 있다고 사료된다.