본 연구에서는 낸드 플래시 메모리용 멀티 핑거 게이트 고전압 (HV) 모스펫의 신뢰성 특성을 TCAD 시뮬레이션을 사용하여 분석하였다. 멀티 핑거 구조는 소자의 집적도를 높이는 데에 이점이 있지만, 넓은 채널 너비와 많은 게이트 contact 으로 여러 성능 저하 요소가 발생한다. 추가적으로 소자의 성능을 향상시키기 위해 bias 상승이 지속적으로 요구되어, 스냅백 항복 전압을 늦추는 것 또한 중요하다. 따라서 핑거 타입 구조에서 스냅백의 주요 원인을 알아내기 위해 트랜지스터 간 contact 구성에 따른 분석뿐만 아니라 채널 너비 효과와 핑거 수 증가에 따라 발생하는 성능 저하의 원인(예: self-heating effect)을 분석한다.