스핀-궤도 토크(SOT) 유도 자화 반전은 빠른 스위칭 시간과 전력 소비가 효율적이며 내구성이 높다는 장점으로 많은 관심을 받고 있다. 보자력이 크고 수직자기 이방성이 큰 물질은 장기간에 걸쳐 안정적인 자화 상태를 유지하고 소형화에 용이하기 때문에 자기 데이터 저장 매체로 응용이 되어왔다. L10-FePt 물질은 높은 수직자기 이방성(6.6~10*107 erg/cm³)에 기인한 열적 안정성을 갖기 때문에 자기기록소자에 적합한 물질이다. 일반적으로 스핀-궤도 토크 유도 자화 반전은 구조적 반전 비대칭성과 강한 스핀-궤도 결합이 필수적이다.
본 연구에서는 제작된 FePt 기반 이종 접합구조 형성이 스핀-궤도 토크 자화 반전에 끼친 영향에 대해 분석하고 논의한다. 연구된 이종접합 구조에서 스핀 전류는 L10-FePt 층에 형성된 결정 반전비대칭을 통해 발생시켰다. 그러나, 스핀 전류가 충분하지 않아 L10-FePt 단일층에서는 스위칭 거동 특성을 관찰할 수 없었다. 반면, L10-FePt/Ru/CoFeB 이종 접합 구조의 시편의 경우 Ru/CoFeB 층의 스핀 흡수에 의해 SOT 효율이 향상되어 스위칭 거동 특성을 확인할 수 있었다. 이 결과는 L10-FePt 기반 자성소자의 층간 구조적 제어를 통하여 스핀-궤도 토크 자화 반전 효율을 향상시킬 수 있다는 의미이며, 이는 스핀트로닉스 소자의 에너지 효율을 높일 수 있는 새로운 방법으로 활용될 수 있을 것이다.