금속 산화물 기반 박막트랜지스터는 여러 가지 뛰어난 특성으로 인해 디스플레이 구동소자로 많은 관심을 받고 있다. 하지만, 차세대 디스플레이에 적용하기 위해서는 더욱 높은 이동도가 요구되어지며, 바이어스 스트레스뿐만 아니라 열과 빛과 같은 다양한 스트레스 상황에서 소자의 안정성이 확보되어야한다. 본 연구 논문에서는 금속 산화물 TFT의 이동도를 향상시키고 다양한 스트레스 환경에서 안정성을 개선하기 위한 방안을 제시한다. 기존에 이동도 혹은 안정성을 개선하기 위한 많은 연구가 진행되었다. 가장 대표적으로 채널층의 산소 공공을 제어하는 연구가 보고되었는데, 산소 공공은 자유 전자를 공급해 전기적 특성을 개선함과 동시에 불안정성을 야기하는 원인이 되기도한다. 또한 후면 채널에 추가적인 공정을 통해 안정성을 개선할 수 있지만, 추가적인 공정을 진행하는 동안 채널층에 결함이 발생할 수 있다. 따라서, TFT의 이동도와 안정성을 함께 개선하는 것은 상당한 도전이지만, 디스플레이에 적용하기 위해서는 모두 개선되어져야 한다.
본 연구에서는 삼중층 채널 구조를 이용해 이동도를 향상시킴과 동시에 다양한 환경에서 TFT의 안정성을 향상시킨다. 서로 다른 밴드갭을 갖는 물질의 접합을 통해 이동도를 개선하며 간단한 도핑을 통해 문턱 전압 시프트를 억제해 안정성을 개선을 보여준다. 이러한 고이동도, 고안정성 TFT는 높은 이동도와 안정성을 요구하는 차세대 디스플레이 기술에 상당 부분 기여할 수 있을거라 기대한다.