전이금속 다이칼코게나이드로서의 MoTe₂ 는 조정 가능한 밴드갭, 비용 효율성 및 높은 화학적 안정성으로 인해 상당한 관심을 끌고 있다. 다양한 장점으로 인해 MoTe₂ 는 메모리 애플리케이션, 발광 다이오드 및 광센서의 유망한 후보이다.
본 논문의 제 1 장에서는 Mo 와 Te 의 다양한 비율로 무선주파수(RF) 마그네트론 공동 스퍼터링으로 몰리브데넘 옥시텔루라이드(MOT) 박막(TF)을 제작하였으며 MOT 박막의 물리화학적 특성을 조사했다. 우리는 주사 전자 현미경 (SEM)으로 스캔하여 순수한 Mo 박막의 분리된 형태를 확인했다. 바늘 모양의 구조는 주사 탐침 현미경 (AFM)으로 Te 40%인 MOT 박막 표면에서 확인했다. 이로 인해 가장 큰 루트 평균 제곱 거칠기 값이 발생하고 접촉각 (CA) 측정으로 소수성 특성이 검증되었다. X 선 광전자 분광법 (XPS) 결과 Te-poor 에서 Te-rich TF 로 Mo 의 주요 산화 상태가 높은(+6)에서 낮은(+4 및/또는 +2)으로 변경되었다. X 선 회절 (XRD) 결과로부터 몰리브데넘 산화물 피크는 Te 가 40% 및 55%인 박막에서 진화했다. 자외선 광전자 분광법 (UPS)과 켈빈 프로브 (KP) 측정은 Te 의 조성이 증가함에 따라 MOT 박막의 일함수가 증가함을 증명했다. MOT 박막의 전기전도도는 4 점 프로브 측정으로 확인된 순수 Mo 및 Te 박막보다 높았다.
2 장에서는 서로 다른 열처리 온도에 따른 MOT 박막의 물리화학적 특성을 연구했다. 주사 전자 현미경 (SEM)과 주사 탐침 현미경 (AFM) 결과는 입자 크기와 거칠기가 어닐링 온도 중 773 K 로 가장 큰 것으로 나타났다. 에너지 분산형 X 선 분광법(EDX) 결과는 Te 보다 Mo 가 곡물 형성에 중요한 역할을 한다는 것을 보여주었다. 표면의 지배적인 종은 열처리 온도가 증가함에 따라 몰리브데넘 산화물과 텔루륨 산화물이었는데, 이는 X-Ray 광전자 분광법(XPS) 결과로 추론되었다. X-Ray 회절(XRD) 패턴은 몰리브데넘 옥시텔루라이드 박막이 773 K 에서 직교하는 MoO₃ 구조가 나타났다. 자외선 광전자 분광법 (UPS) 측정 결과 열처리 온도가 증가할수록 몰리브데넘 산화물과 텔루륨 산화물로 인해 일함수가 증가하는 것으로 나타났다. 4 점 조사 결과 몰리브데넘 옥시텔루라이드 박막은 773 및 973 K 보다 298 및 573 K 에서 전기 전도도가 높은 경향이 있다.