반도체 기술 중 Chemical Mechanical Planarization (CMP)는 화학과 기계적 힘을 조합하여 표면을 매끄럽게 하는 공정으로, 선택된 슬러리는 화학적 조성과 기계적 요소를 동시에 필요로하는 복잡한 제조 기술이 필요하다. 특히 밀링 공정에서 슬러리 입자의 부식에 의해 응집된 입자가 연마 진행시 존재하면 미세 스크래치가 많이 발생하고 거칠기가 증가하여 마감 표면의 품질이 저하된다. 따라서 본 연구에서는 CMP 공정에서 흔히 사용되는 세리아 슬러리의 문제점인 입자 응집을 최소화하기 위해 분산제의 함량을 달리하여 제조하였다. 기준 슬러리 2종과 제조한 슬러리 3종을 극한 조건에서 3개월동안 안정성 테스트를 진행하였다. 물성 분석으로는 입자 크기 분포 분석을 위해 Dynamic light scattering (DLS)를 분석하였다. 기초 물성 분석으로는 SEM, TEM, 연마율과 Uniformity를 분석하였다. 본 연구 결과, 분산제 함량이 증가할수록 입자 표면에 분산제의 흡착이 우수하기 때문에 입자간의 정전기적 척력이 증가하여 입자크기가 작아짐을 DLS 분석을 통해 확인하였다. SEM과 TEM 결과, 분산제의 함량이 증가할수록 작은 입자들이 증가하고, 세리아 표면에 분산제 폴리머가 두꺼운 두께로 안정적으로 흡착되며 일정한 배향성이 확인되었다. 따라서 분산제 함량이 높을수록 CMP 슬러리의 성능이 안정한 것을 확인하였다.