유도 결합 플라즈마 반응성 이온 식각(inductively coupled plasma reactive ion etching)을 사용하여 SiO₂ 하드 마스크가 패턴되어 있는 구리 박막을 ethylenediamine(EDA)/hexafluoroisopropanol(HFIP)/Ar 혼합가스로 식각하였다. EDA/Ar 에서 HFIP 가 첨가됨에 따라 구리박막의 식각 속도, 식각 선택도 및 식각 프로파일이 개선되었다. EDA/HFIP/Ar 에서 EDA/HFIP 의 농도가 증가함에 따라 Cu 와 SiO₂ 의 식각 속도는 감소하였지만, 식각 프로파일이 향상되었다. (EDA/HFIP)/Ar 혼합 가스에서 최적의 혼합 비율을 확인하였고 식각 속도가 빠르고 재증착이 없는 식각 프로파일을 확보하였다. 또한, ICP 소스 파워, dc-bias 전압, 공정압력등의 식각 파라미터 변화를 통한 구리 박막의 식각 특성을 확인하였다. Optical emission spectroscopy 분석을 통해 EDA 플라즈마의 주요 화학종은 [CN], [CH] 및 [H]임이 밝혀졌다. X-ray photoelectron spectroscopy 분석은 Cu 가 [CN], [CH], [H]와 반응하여 구리 화합물을 형성한 후 ion 들의 스퍼터링에 의해 탈착되는것을 확인했다. 결론적으로 본 연구를 통해 EDA/HFIP/Ar 혼합가스를 이용하여 150nm 스케일로 패턴된 구리 박막에 대한 식각 가능성을 확인하였다.