고집적화의 한계에 도달한 반도체의 근본적인 변화를 위해 제안된 monolithic 3-dimension(M3D)적층기술에서 저온 공정 개발을 위한 열처리 기술의 연구가 진행되고 있다. 그러나 기존 열처리 공정을 3차원 집적구조에 적용하면 하부소자에 열적 열화를 일으키는 한계에 도달하게 된다. 따라서 본 연구에서는 rapid thermal anneal (RTA)와 같은 기존의 열처리 방법과 비교하여 laser와 microwave를 이용한 저온 열처리 공정을 제안한다. 266nm파장을 가진 deep ultraviolet(DUV) laser를 이용하여 짧은 시간 안에 하부 소자의 열화 없이 amorphous silicon에서 polycrystalline silicon (poly-Si) metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor(MOSFET)을 제작하였다. Poly-Si MOSFET 장치는 상부 층의 전류가 증가함에 따라 하단 소자의 성능이 증가하는 것을 보여주어 하부 장치의 성능을 저하시키지 않는 결과를 보여준다. 또한 2.45 GHz의 microwave를 이용하여 단시간에 Ni silicide를 형성하고 비슷한 power에서 dopant activation을 일으킬 수 있다. 다음 결과는 microwave 조사 시 RTA에 비해 낮은 온도에서 안정적으로 열처리 특성이 나타나는 것을 확인하였다. 동시에 상부소자에 microwave를 조사하여도 하부소자의 sheet resistance에 변화를 통해 하부소자에 열적 영향을 가하지 않는 결과를 보여준다. 이 기술들을 통하여 기존 열처리 방식의 한계를 극복하고 저온 공정이 필요한 3D 소자집적 기술에 도입 할 수 있어 향후 M3D 구조의 소자 재현 가능성을 높일 수 있을 것으로 예측된다.