표제지
목차
초록 8
Abstract 9
제1장 서론 10
제2장 이론적 배경 12
2.1. HfO₂ based ferroelectric materials 12
2.2. Stress-induced crystallization 16
제3장 실험방법 21
3.1. TiN과 W 하부 전극 물질을 이용한 HZO 캐패시터 제작 21
제4장 결과 및 고찰 25
4.1. Thin film stress 측정을 통한 하부 전극 물질에 따른 스트레스 분석 25
4.2. 전기적 특성 측정을 통한 HZO 캐패시터의 강유전 특성 분석 27
4.3. XPS 측정을 통한 HZO 박막과 하부 전극의 계면 물성 분석 32
4.4. XRD 측정을 통한 HZO 박막의 결정 구조 분석 35
4.5. TEM 측정을 통한 HZO 박막의 가시적 분석 37
제5장 결론 39
제6장 참고문헌 40
Table 2.2.1. Comparison of ferroelectric-HfO₂ to the... 14
Figure 2.1.1. Characteristics of different dopant materials 15
Figure 2.2.1. The formation of the orthorhombic phase during... 18
Figure 2.2.2. Equilibrium phase diagram regarding... 19
Figure 2.2.3. GIXRD and Cross-sectional HRTEM results of the... 20
Figure 3.1.1. Fabrication process of HZO capacitors using TiN... 23
Figure 3.1.2. (a) A schematic illustration of HZO-based MIM... 24
Figure 4.1.1. Variation in the radius of curvature of the 100... 26
Figure 4.2.1. Polarization-electric field hysteresis curves and... 29
Figure 4.2.2. Leakage current density-electric field curves of... 30
Figure 4.2.3. Small signal capacitance-electric field... 31
Figure 4.3.1. XPS spectra of Zr 3d in interface between HZO... 33
Figure 4.3.2. XPS spectra of Hf 4f in interface between HZO... 34
Figure 4.4.1. The GIXRD patterns of 10nm-thick HZO films... 36
Figure 4.5.1. Cross-sectional HR-TEM images of (a)... 38