PCB(Print Circuit Board)용 전해 동도금은 두께와 홀사이즈에 의해서 방법이 결정된다. Aspect Ratio가 높은 PCB(Print Circuit Board)는 생산성을 고려하여, Revers Pulse 전해 동도금이 적용되며, 일반적으로는 DC 전해 도금으로 Cu를 제조한다. 두 가지 방법으로 제조한 동도금은 모두 열적 변화에서도 전기적 특성을 유지하여야 한다.
특히, PCB(Print Circuit Board)에 부품이 실장시 내열성을 갖아야 하며, 전자기기에 부품으로 사용 중에도 반복되는 열적인 stress 환경에서 전기 신호의 특성이 안정적으로 관리가 중요하다.
본 연구에서는 DC 전해 동도금과 Reverse Pulse 전해 동도금으로 Cu를 제조하고, 열적인 stress에 따른 표면과 Cu 조직의 변화를 관찰하였다.
DC 전해 동도금과 Reverse Pulse 전해 동도금 방법에서 온도는 25℃로 고정하고, 전류 밀도(A/dm)를 1.0A/dm, 1.5A/dm, 2.0A/dm로 Cu를 제조하였다.
그리고 전착두께는 모두 30μm로 동일하게 유지하였다.
DC 전해 동도금과 Reverse Pulse 전해 동도금에서 전류 세기가 증가 할수록 Cu 조직의 Grain 사이즈가 증가 하였다. 인가되는 전류가 클수록 Cu 이온이 빠르게 성장하여, Cu 조직의 Grain 사이즈가 증가하였다.
제조된 Cu를 어닐링(150℃1Hr)과 열충격(288℃10sec 3회 Floating) 처리 한 후에 변화를 관찰하였다. Cu 조직은 열적인 변화로 결정립이 크게 성장하여, 내부변형이 없는 새로운 결정립으로 치환되어 재결정(Recrystallization)을 하였다.
DC 전해 동도금과 Reverse Pulse 전해 동도금은 전류 밀도(A/dm)를 1.0A/dm, 1.5A/dm, 2.0A/dm로 제조되어진 Cu가 열적인 Stress에서 Crack과 같은 결함이 없는 것을 확인하였다.