반도체 제조용 공정 중 CVD chamber cleaning용과 식각(etching)공정에는 여러 종류의 프레온 가스(CF4, C2F6, NF3, SF6, CHF3, etc)들을 사용하는데, 이들 대부분은 난 분해성으로 현재 사용 중인 일반적인 방법으로는 처리가 불가능하다. 일반적으로 알려진 프레온들의 분해 온도는 열적 분해 처리 시 수천도 이상이 요구된다.
SF6는 인가전력이 10[KW] 부근에서 99[%]이상 분해처리 되고 있지만, CF4 가스는 결합력이 우수하여 인가전력이 20[KW] 부근에서 95[%]이상 분해 처리되어 버너방식의 Scrubber로는 PFCs 가스전체를 분해하지 못하기 때문에 Arc Plasma 방식의 핵심기술인 Plsama Power Supply의 출력을 20 ~ 24[KW]고용량 Power Supply 장치를 연구하였다.
고온 플라즈마의 핵심은 Arc 플라즈마의 확산이며, 이에 Arc의 발생에 대응 가능한 내구성을 지닌 전원공급 장치의 적용이다.
상기 사항에 따라서 Arc 플라즈마 확산을 위해서 20[KW] 이상의 대전력 출력이 가능하며, Arc 발생시 급격한 부하변동에 대응할 수 있는 전원공급 장치 개발을 위해서 대용량 전력 공급이 가능하도록 메인 트렌스포머, 정류 리엑터를 용량에 맞게 설계 및 테스트 하였으며, Arc 플라즈마 방전시 확산이 증가하면서 발생되는 출력의 불안정화 현상을 IGBT 구동회로 및 궤환 회로부의 부품들의 시정수를 변경하여 연구 개선을 하였고,
또한 Arc 플라즈마 확산시 발생하는 급격한 부하변동에 대응하도록 전원공급 장치 용량이 커져야 하는 것과 토치에 대전력 공급시 Arc 플라즈마 방전 토치에 Sputtering 현상이 발생하여 출력전압의 진폭이 커지는 현상을 감소시켜 출력전압이 안정화 되어 토치 수명연장이 가능하게 하였다.