표제지
목차
ABSTRACT 7
I. 서론 9
II. 광역평탄화 11
A. CMP에 의한 공정 11
1. CMP공정의 원리 11
2. 광역 평탄화 공정의 적용 14
B. CMP의 요소 16
1. 기계적 요소 16
2. 화학적인 요소 18
C. 공정변수의 영향 21
III. 실험 및 측정장치 22
A. 광역평탄화 22
1. 연마 실험장치 22
2. 연마방법 24
B. 연마율과 비균일도 측정 26
C. 패드의 표면 분석 28
D. 전기적인 특성 29
IV. 실험결과 및 분석 30
A. 패드 컨디셔닝 온도에 따른 연마특성 30
B. 박막의 표면 분석 34
V. 결론 39
참고문헌 40
감사의 글
Table 3-1. CMP process parameter 25
Fig. 1. Schematic diagram CMP polisher 13
Fig. 2. Mechanical characteristics of pad 16
Fig. 3. CMP equipment (POLI-380) 22
Fig. 4. Surface SEM photograph of IC 1400 pad 23
Fig. 5. Run sheet of polishing process 25
Fig. 6. FESEM (S-4700, Hitachi) 28
Fig. 7. Hall effect measurement system 29
Fig. 8. Non-uniformity and removal rate of ITO a conditioning temperature 31
Fig. 9. Carrier density of ITO as a conditioning temperature 32
Fig. 10. Hall mobility of ITO as a conditioning temperature 33
Fig. 11. SEM image of ITO as a conditioning temperature 36
Fig. 12. Surface SEM image of new pad 37
Fig. 13. Pad surface as a conditioning temperature 38