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목차
[표제지 등]=0,1,2
머리말=0,3,2
목차=0,5,1
차세대 나노 메모리 소자=0,6,1
목차=0,7,1
제1장 서론=1,8,3
제2장 기술개발동향=3,10,1
1. 기술의 개요=3,10,5
2. 연구개발동향=7,14,1
가. 해외=7,14,6
나. 국내=13,20,3
제3장 기술특성분석=16,23,1
1. 요소기술 분석 및 비교=16,23,1
가. 나노입자 기술=16,23,3
나. 터널링 산화막 기술=18,25,2
2. 파급효과=20,27,2
제4장 결론 및 전망=21,28,2
참고자료=23,30,4
차세대 반도체 나노선 전자소자 및 광전소자 기술=27,34,2
목차=29,36,2
제1장 서론=31,38,3
제2장 기술개발동향=33,40,1
1. 반도체 나노선 소자기술의 개요=33,40,3
2. 반도체 나노선 소자 연구 동향=35,42,1
가. 전자소자=35,42,10
나. 광전소자=44,51,9
제3장 기술 분석 및 전망=52,59,3
제4장 결론=54,61,2
참고자료=56,63,3
저자소개=59,66,1
[판권지]=59,66,1
| 등록번호 | 청구기호 | 권별정보 | 자료실 | 이용여부 |
|---|---|---|---|---|
| 0001083494 | 621.38152 ㄱ498ㅊ | 서울관 서고(열람신청 후 1층 대출대) | 이용가능 | |
| 0001083495 | 621.38152 ㄱ498ㅊ | 서울관 서고(열람신청 후 1층 대출대) | 이용가능 |
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| 번호 | 발행일자 | 권호명 | 제본정보 | 자료실 | 원문 | 신청 페이지 |
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