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목차

[표제지 등]=0,1,2

머리말=0,3,2

목차=0,5,1

차세대 나노 메모리 소자=0,6,1

목차=0,7,1

제1장 서론=1,8,3

제2장 기술개발동향=3,10,1

1. 기술의 개요=3,10,5

2. 연구개발동향=7,14,1

가. 해외=7,14,6

나. 국내=13,20,3

제3장 기술특성분석=16,23,1

1. 요소기술 분석 및 비교=16,23,1

가. 나노입자 기술=16,23,3

나. 터널링 산화막 기술=18,25,2

2. 파급효과=20,27,2

제4장 결론 및 전망=21,28,2

참고자료=23,30,4

차세대 반도체 나노선 전자소자 및 광전소자 기술=27,34,2

목차=29,36,2

제1장 서론=31,38,3

제2장 기술개발동향=33,40,1

1. 반도체 나노선 소자기술의 개요=33,40,3

2. 반도체 나노선 소자 연구 동향=35,42,1

가. 전자소자=35,42,10

나. 광전소자=44,51,9

제3장 기술 분석 및 전망=52,59,3

제4장 결론=54,61,2

참고자료=56,63,3

저자소개=59,66,1

[판권지]=59,66,1

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차세대 반도체 개발동향 이용현황 표 - 등록번호, 청구기호, 권별정보, 자료실, 이용여부로 구성 되어있습니다.
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0001083494 621.38152 ㄱ498ㅊ 서울관 서고(열람신청 후 1층 대출대) 이용가능
0001083495 621.38152 ㄱ498ㅊ 서울관 서고(열람신청 후 1층 대출대) 이용가능