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표제지
초록
목차
제1장 서론 7
제2장 산화막 형성 기술과 특성 분석 9
2.1. Tunnel 산화막 형성 및 특성분석 9
2.1.1. 샘플 세정 과정 9
2.1.2. 열 산화막 형성과정 10
2.1.3. 열 산화막 두께 측정 11
2.2. Control 산화막 형성 및 특성분석 12
제3장 LPCVD를 이용한 Si nanocrystal 형성 14
3.1. nanocrystal 형성 model 14
3.2. Si nanocrystal 형성 방법 14
3.3. Si nanocrystal의 Phosphorus 도핑 16
제4장 비휘발성 메모리 트랜지스터의 제작 및 특성분석 18
4.1. FET 소자 제작 및 특성분석 18
4.1.1. 소자 제작 과정 18
4.1.2. MOSFET 특성 분석 21
4.2. 인이 도핑된 Si nanocrystal 비휘발성 메모리의 전기적 특성분석 25
4.2.1. 소자 제작 과정 25
4.2.2. 도핑되지 않은 Si nanocrystal 메모리의 전기적 특성 28
4.2.3. 도핑된 Si nanocrystal 메모리의 전기적 특성 31
제5장 결론 34
참고문헌 35
Abstract 36
감사의 글 37
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