생몰정보
소속
직위
직업
활동분야
주기
서지
국회도서관 서비스 이용에 대한 안내를 해드립니다.
검색결과 (전체 1건)
원문 있는 자료 (1) 열기
원문 아이콘이 없는 경우 국회도서관 방문 시 책자로 이용 가능
목차보기더보기
표제지
목차
국문 요지 8
제1장 서론 10
제2장 나노 부유 게이트 메모리 13
2.1. 양자점 13
2.2. 나노 부유 게이트 메모리 18
2.3. 나노 부유 게이트 메모리 소자의 기록/소거 메커니즘 20
2.3.1. 채널 고온 전자 주입 20
2.3.2. F-N 터널링 22
2.3.3. 전기적인 터널 효과에 의한 터널 방정식 24
제3장 금속 산화물 나노입자 제작 27
3.1. 폴리이미드 27
3.2. 폴리이미드 합성 28
제4장 실험 31
4.1. 폴리이미드내에 형성된 금속 산화물 나노입자 제작 31
4.1.1. 투과 전자 현미경 관찰을 통한 결과 32
4.1.2. 광학 특성 조사 결과 35
4.2. MOS 캐패시터 37
4.2.1. 소자 제작 및 구조 37
4.2.2. 전기적 측정 39
4.3. 나노입자 부유게이트 메모리 소자 43
4.3.1. 소자의 제작 및 구조 43
4.3.2. 전기적 측정 45
4.3.3. 수소 열처리 후 전기적 측정 47
4.4. 이중컨트롤 층을 가지는 MOS 캐패시터 51
4.4.1. 소자의 제작 및 구조 51
4.4.2. 전기적 측정 53
4.5. 이중컨트롤 층을 가지는 나노입자 부유게이트 메모리 소자 56
4.5.1. 소자의 제작 및 구조 56
4.5.2. 전기적 측정 58
제5장 결론 62
참고문헌 63
ABSTRACT 65
그림 2.1. 양자우물에서의 에너지 양자화 14
그림 2.2. 벌크, 양자 우물, 양자선 양자점 에서의 전자의 상태밀도 17
그림 2.3. 채널 고온 전자 주입에 의하여 기록되는 메커니즘 21
그림 2.4. FN 터널링에 의하여 소거되는 메커니즘 23
그림 3.1. 양생 공정에서의 화학반응 30
그림 3.2. 여러 가지 금속 산화물 나노입자 30
그림 4.1. 양생한 In₂O₃ 나노입자 (a) 평면 TEM 사진과 (b) 단면 TEM 사진 33
그림 4.2. In₂O₃ 나노입자의 SAD패턴 34
그림 4.3. In₂O₃ 나노입자의 흡수도 측정 36
그림 4.4. MOS 캐패시터 구조도 38
그림 4.5. (a)인듐 산화물 나노입자가 없는 소자 와 (b)인듐 산화물 나노입자가 포함된 소자의 C-V 이력곡선 41
그림 4.6. 인듐 산화물 나노입자가 포함된 소자의 Endurance 특성 42
그림 4.7. 나노입자 부유게이트 메모리 소자의 구조 44
그림 4.8. 나노입자 부유게이트 메모리 소자제작공정 44
그림 4.9. 인듐 산화물 나노입자가 포함된 나노입자 부유게이트 메모리 소자의 (a)출력 및 (b)subthreshold 특성 46
그림 4.10. 인듐 산화물 나노입자가 포함된 나노입자 부유게이트 메모리 소자의 전하 저장 특성 48
그림 4.11. 수소 열처리후 인듐 산화물 나노입자가 포함된 나노입자 부유게이트 메모리 소자의 수소 열처리후 (a)출력 및 (b)subthreshold 특성 49
그림 4.12. 수소 열처리후 인듐 산화물 나노입자가 포함된 나노입자 부유게이트 메모리 소자의 전하 저장 특성 50
그림 4.13. 이중 컨트롤 게이트를 가지는 MOS 캐패시터의 구조 52
그림 4.14. 이중 컨트롤 층을 가지는 소자의 (a)나노입자가 없는 소자 와 (b)인듐 산화물 나노입자가 포함된 소자의 C-V 이력곡선 54
그림 4.15. 이중 컨트롤 층을 가지는 소자의 endurance 특성 55
그림 4.16. 이중 컨트롤 층을 가지는 나노입자 부유게이트 메모리 소자의 구조 57
그림 4.17. 이중 컨트롤 게이트를 가지는 나노입자 부유게이트 메모리 소자의 subthreshold 특성 59
그림 4.18. 이중 컨트롤 게이트를 가지는 나노입자 부유게이트 메모리 소자의 (a)기록/소거 속도 특성 및 (b)기록/소거 전압 60
그림 4.19. 이중 컨트롤 층을 가지는 나노입자 부유게이트 메모리 소자의 전하 저장 특성 61
초록보기 더보기
본 논문에서는 금속박막과 폴리아믹산 (polyamic acid : PAA)의 금속 산화 반응을 이용하여 자발형성된 금속산화물 나노입자를 이용하여 나노 부유게이트 메모리(Nano-Ploating Gate Memory ; NFGM)소자를 제작하였다. 이 방법은 금속 박막과 폴리 아믹산의 화학반응에 의해서 금속산화물 반도체 양자점이 폴리이미드 속에 분포하는 형태로 생성되고, 금속 박막의 두께 및 양생 온도, 양생 시간에 따라 형성되는 양자점의 밀도 및 크기를 조절할 수 있기 때문에 금속산화물 나노입자를 단일층으로 균일하게 제작이 가능하고 동시에 폴리이미드 층을 컨트롤 층으로 사용할 수 있는 장점이 있다. 제작된 인듐 산화물 나노 입자는 투과 전자 현미경(transmission electron microscope : TEM)을 통하여 물성과 크기 밀도를 조사하였고 메모리 소자의 전기적 특성을 전류-전압 특성과 문턱전압, 그리고 전하 저장 특성을 통하여 조사하였다.
TEM 분석 결과 NFGM 소자에 사용된 인듐 산화물 나노입자의 크기는 7nm 이고, 밀도는 5.8×1011 ㎝-2 임을 확인하였다. 단일 컨트롤 층을 가지는 소자의 경우 subthreshold swing 값이 370 mV/dec로 나타났고 전하 저장특성도 1000 s 후에 전하가 대부분 누설됨을 확인하였다. 이러한 소자의 성능을 개선하기 위하여 소자 제작후 수소 분위기에서 열 처리와 이중 컨트롤 층을 가지는 소자구조에 대해 조사하였다. 수소 열 처리는 터널링 산화막의 성질을 좋게 하기 위함이고 이중 컨트롤 층을 제작한 것은 폴리이미드가 저유전율을 가지는 물질로 소자의 제작에 있어 소자 크기 조절에 제한과 여러 가지 특성이 좋지 못한 단점을 개선하기 위함이다. 수소 열 처리을 하였을 경우 subthreshold swing 값이 158 mV/dec 로 좋아짐을 확인하였고 전하 저장 특성도 1000 s 후에 처음 저장되었던 전하의 30 % 이상이 저장되어 있음을 확인 하였다. 이중 컨트롤 층을 가지는 소자의 경우 단일 컨트롤 층을 가지는 소자에 비해 전하 저장 특성은 향상되지 않았으나 전하의 기록/소거 특성이 좋아짐을 확인하였다.
인듐 나노 입자 부유 게이트 메모리 소자는 기존의 플래시 메모리 소자를 대신할 새로운 형태의 메모리로 이용될 수 있을 것이다.
원문구축 및 2018년 이후 자료는 524호에서 직접 열람하십시요.
도서위치안내: / 서가번호:
우편복사 목록담기를 완료하였습니다.
* 표시는 필수사항 입니다.
* 주의: 국회도서관 이용자 모두에게 공유서재로 서비스 됩니다.
저장 되었습니다.
로그인을 하시려면 아이디와 비밀번호를 입력해주세요. 모바일 간편 열람증으로 입실한 경우 회원가입을 해야합니다.
공용 PC이므로 한번 더 로그인 해 주시기 바랍니다.
아이디 또는 비밀번호를 확인해주세요