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논문명/저자명
Organic electronic devices에 적용 가능한 permeation barrier coating에 관한 연구 = The study of permeation barrier coatings applied in organic electronic devices / 김덕진 인기도
발행사항
서울 : 성균관대학교 대학원, 2006.8
청구기호
TM 620.11297 ㄱ584o
형태사항
iv, 48 p. ; 26 cm
자료실
전자자료
제어번호
KDMT1200684531
주기사항
학위논문(석사) -- 성균관대학교 대학원, 전자재료, 2006.8
원문
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Contents

Chapter 1. Introduction and background 8

1.1. Organic electronic devices 8

1.1.1. History 8

1.1.2. Organic thin film transistor (OTFT) 10

1.1.3. Organic light emitting diodes (OLED) 15

1.1.4. Organic solar cell 17

1.1.5. Radio-frequency identification (RFID) circuitry 21

1.2. Thin-film permeation barriers 22

1.2.1. Single-layer permeation barrier structures 23

1.2.2. Multi-layer permeation barrier structures 24

1.3. References 25

Chapter 2. Silicon oxide thin films deposited by low-temperature remote plasma-enhanced chemical deposition 28

2.1. Introduction 28

2.2. Experiments 29

2.3. Result and discussion 31

2.4. Conclusions 37

2.5. References 38

Chapter 3. Plasma polymer thin film deposited by PECVD 40

3.1. Plasma polymerization 40

3.2. Experiments 41

3.3. Result and Discussion 44

3.4. Conclusions 51

3.5. References 51

Abstract 55

Figure 2.1. RPE-CVD system equipped with a toroidal-type remote plasma source 30

Figure 2.2. The deposition rate with an increase of N₂O/SiH₄ flow ratio, R 32

Figure 2.3. The refractive index at the wavelength of 634 nm and composition ratio, x, for the SiOx films deposited on the silicon substrates as a function of R 34

Figure 2.4. Functional groups of SiOx films deposited on the PEN substrate 35

Figure 2.5. I-V plots and leakage current density vs. R obtained from the MOS capacitors 36

Figure 2.6. C-V plots and capacitance vs. R obtained from the MOS capacitors 37

Figure 3.1. Mimetic diagram of PECVD systems for plasma polymerization processes 42

Figure 3.2. Hexamethylsiloxane (HMDSO), C6H18OSi2 and Methylcyclohexane (MCH), C7H14(이미지참조) 43

Figure 3.3(a). Deposition rate of pp-HMDSO as a function of plasma power, carrier gas flow rate and O₂ flow rate 45

Figure 3.3(b). Deposition rate of pp-MCH as a function of plasma power, carrier gas flow rate and chamber pressure 45

Figure 3.4. The cross-sectional FE-SEM images of pp-HMDSO and pp-MCH 46

Figure 3.5. FT-IR spectra for the pp-HMDSO and pp-MCH films deposited on Si(100) substrate 48

Figure 3.6. UV-visible transmittance spectra of the 200-nm-thick pp-HMDSO and pp-MCH single layer 49

Figure 3.7. Protective efficiency of the pp-HMDSO and pp-MCH films with the thickness of 200 nm 50

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