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논문명/저자명
Fabrication of PDMS shadow mask for CdS thin-film transistors by chemical solution deposition = 화학 용액 증착법에 이용 가능한 PDMS shadow mask의 제작과 이를 이용한 CdS thin film transistor 제작 / 윤주원 인기도
발행사항
서울 : 성균관대학교 대학원, 2006.8
청구기호
TM 547.2 ㅇ533f
형태사항
vi, 35 p. ; 26 cm
자료실
전자자료
제어번호
KDMT1200684478
주기사항
학위논문(석사) -- 성균관대학교 대학원, 무기화학, 2006.8
원문
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영문초록

국문초록

Contents

1. Introduction 10

1.1. Replica molding(REM) 12

1.2. Cadmium Sulfide(CdS) films 14

Structure 14

Orientation 16

Optical properties 16

Electrical properties and photoconductivity 16

2. Experimental 19

2.1. Fabrication of PDMS shadow masks 19

2.2. Patterned CdS and aluminium thin films 22

2.3. Characterization 26

3. Results and Discussion 27

3.1. PDMS shadow mask 27

3.2. CdS thin film deposition 30

3.3. CdS thin film transistors(TFTs) 35

4. Conclusion 42

5. References 43

Figure 1. Schematic illustration of procedures for replica molding. 13

Figure 2. Structure of CdS crystal (a) zincblende (b) wurtzite. 15

Figure 3. Schematic illustration of fabrication of PDMS shadow mask. 20

Figure 4. SEM photos of metal shadow masks (a), first PDMS molds (b), and PDMS shadow masks (c). 21

Figure 5. Schematic illustration of chemical solution deposition of CdS with PDMS shadow mask. 23

Figure 6. SEM image of peeling PDMS shadow mask off SiO₂ after CdS chemical solution deposition. 24

Figure 7. (a) Schematic illustration of deposition of aluminium using thermal evaporation. (b) SEM image of PDMS shadow mask of type B for source and drain electrodes on CdS thin films. 25

Figure 8. Size of patterns is (a) (545×1003)㎛ (b) (553×998)㎛ (c) (541×988)㎛. 29

Figure 9. XPS spectra of CdS deposited region (a) and PDMS covered area. 32

Figure 10. AFM topograph of CdS thin film in the center (a), and edge region (b). 33

Figure 11. SEM image of CdS thin film. 34

Figure 12. Schematic illustration of CdS-TFT device structure. 37

Figure 13. IDS - VDS characteristics with VG=0~30V in 1.3V steps.(이미지참조) 38

Figure 14. IDS - VG transfer characteristics at VDS=2V, Showing threshold voltage(VTH) of~14V.(이미지참조) 39

Figure 15. Log(IDS) - VG characteristics at VDS=30V, showing on/off ratio of~105.(이미지참조) 40

Figure 16. (IDS)1/2 - VG characteristics at VDS=30V, Showing a slope of 4.43×10-2(μA1/2/V).(이미지참조) 41

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