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표제지
초록
목차
1. 서론 10
2. 이론적 배경 14
2.1. 유기 반도체 트랜지스터의 기본 구조 및 동작원리 14
A) 유기 반도체 트랜지스터의 기본 구조 14
B) 유기 반도체 트랜지스터의 동작원리 15
C) 유기 반도체 트랜지스터의 전기적 특성 17
D) 유기 반도체 트랜지스터의 측정인자 18
2.2. Gate dielectric 물질의 특징 20
2.3. 졸-겔 공정(Sol-gel process) 22
A) 역사적 배경 22
B) 졸-겔 공정의 메카니즘 23
C) 유기/무기 하이브리드 27
3. 실험 방법 29
3.1. 유-무기 나노 복합 절연체 합성 29
3.2. 트랜지스터 제작 공정 31
4. 결과 및 토론 33
4.1. 유-무기 나노 복합 절연체의 특성분석 33
A) FT-IR 33
B) XPS 35
C) TGA 38
D) AFM 39
E) 전기적 특성평가 40
4.2. 유기 반도체 트랜지스터의 특성 분석 47
5. 결론 51
6. 참고문헌 52
Table 1. 일반적 졸-겔 공정 24
Table 2. 졸-겔 제조 메카니즘 25
Table 3. Electric property of gate insulator form sol-gel process 46
Table 4. Characteristics of OTFT with F8T2 semiconductor 50
Fig. 1 Structure of thin film transistors 14
Fig. 2 Schematic diagram of TFT 16
Fig. 3 Schematic diagram showing the different product that can be synthesized with the sol-gel technique. 23
Fig. 4 Sol-gel 법을 이용한 composite film 제조 공정도 30
Fig. 5 Coplanar Electronic Thin Film Transistor 31
Fig. 6 FTIR investigations of the TiO₂-PVP nanocomposite The doping concentration of a, d are 0, 5, 10, and 15wt% 34
Fig. 7 XPS wide scan spectrum of (a) PVP film and (b) TiO2-PVP composite film 36
Fig. 8 Ti XPS narrow scan spectrum of TiO2-PVP composite film 37
Fig. 9 Thermogravimetric decomposition of TiO₂-PVP nanocomposite The doping concentration of a, b, c, d are 0, 5, 10, and 15wt% 38
Fig. 10 AFM images of gate insulator film (a) PVP film (b)TiO₂-PVP (15wt%)nanocomposite film 40
Fig. 11 Leakage current density(J) versus electric field for various weight of cross-linking agent of PVP 42
Fig. 12 Capacitance-Frequency characteristics for various weight of cross-linking agent of PVP 42
Fig. 13 Leakage current density(J) versus electric field for various weight of TiO₂-PVP nanocomposite dielectric layer using HCl catalyst 44
Fig. 14 Capacitance-Frequency characteristics for various weight of TiO₂-PVP nanocomposite dielectric layer using HCl catalyst 45
Fig. 15 Leakage current density(J) versus electric field for various weight of TiO₂-PVP nanocomposite dielectric layer using Latic acid catalyst 45
Fig. 16 Capacitance-Frequency characteristics for various weight of TiO₂-PVP nanocomposite dielectric layer using Latic acid catalyst 46
Fig. 17 Output characteristics of inverted coplanar OTFT (channel W/L=1000/10) 49
Fig. 18 Transfer characteristics of inverted coplanar OTFT 49
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