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논문명/저자명
유기 트랜지스터를 위한 새로운 유-무기 나노 복합체 절연막 관한 연구 / 명혜진 인기도
발행사항
인천 : 인하대학교 대학원, 2006.8
청구기호
TM 이미지로만 열람 가능
형태사항
p. ; 26 cm
제어번호
KDMT1200669472
주기사항
학위논문(석사) -- 인하대학교 대학원, 고분자공학, 2006.8
원문
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표제지

초록

목차

1. 서론 10

2. 이론적 배경 14

2.1. 유기 반도체 트랜지스터의 기본 구조 및 동작원리 14

A) 유기 반도체 트랜지스터의 기본 구조 14

B) 유기 반도체 트랜지스터의 동작원리 15

C) 유기 반도체 트랜지스터의 전기적 특성 17

D) 유기 반도체 트랜지스터의 측정인자 18

2.2. Gate dielectric 물질의 특징 20

2.3. 졸-겔 공정(Sol-gel process) 22

A) 역사적 배경 22

B) 졸-겔 공정의 메카니즘 23

C) 유기/무기 하이브리드 27

3. 실험 방법 29

3.1. 유-무기 나노 복합 절연체 합성 29

3.2. 트랜지스터 제작 공정 31

4. 결과 및 토론 33

4.1. 유-무기 나노 복합 절연체의 특성분석 33

A) FT-IR 33

B) XPS 35

C) TGA 38

D) AFM 39

E) 전기적 특성평가 40

4.2. 유기 반도체 트랜지스터의 특성 분석 47

5. 결론 51

6. 참고문헌 52

Table 1. 일반적 졸-겔 공정 24

Table 2. 졸-겔 제조 메카니즘 25

Table 3. Electric property of gate insulator form sol-gel process 46

Table 4. Characteristics of OTFT with F8T2 semiconductor 50

Fig. 1 Structure of thin film transistors 14

Fig. 2 Schematic diagram of TFT 16

Fig. 3 Schematic diagram showing the different product that can be synthesized with the sol-gel technique. 23

Fig. 4 Sol-gel 법을 이용한 composite film 제조 공정도 30

Fig. 5 Coplanar Electronic Thin Film Transistor 31

Fig. 6 FTIR investigations of the TiO₂-PVP nanocomposite The doping concentration of a, d are 0, 5, 10, and 15wt% 34

Fig. 7 XPS wide scan spectrum of (a) PVP film and (b) TiO2-PVP composite film 36

Fig. 8 Ti XPS narrow scan spectrum of TiO2-PVP composite film 37

Fig. 9 Thermogravimetric decomposition of TiO₂-PVP nanocomposite The doping concentration of a, b, c, d are 0, 5, 10, and 15wt% 38

Fig. 10 AFM images of gate insulator film (a) PVP film (b)TiO₂-PVP (15wt%)nanocomposite film 40

Fig. 11 Leakage current density(J) versus electric field for various weight of cross-linking agent of PVP 42

Fig. 12 Capacitance-Frequency characteristics for various weight of cross-linking agent of PVP 42

Fig. 13 Leakage current density(J) versus electric field for various weight of TiO₂-PVP nanocomposite dielectric layer using HCl catalyst 44

Fig. 14 Capacitance-Frequency characteristics for various weight of TiO₂-PVP nanocomposite dielectric layer using HCl catalyst 45

Fig. 15 Leakage current density(J) versus electric field for various weight of TiO₂-PVP nanocomposite dielectric layer using Latic acid catalyst 45

Fig. 16 Capacitance-Frequency characteristics for various weight of TiO₂-PVP nanocomposite dielectric layer using Latic acid catalyst 46

Fig. 17 Output characteristics of inverted coplanar OTFT (channel W/L=1000/10) 49

Fig. 18 Transfer characteristics of inverted coplanar OTFT 49

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