[표지] 1
제출문 2
한국전기연구원 중소기업지원사업 보고서 초록 3
목차 10
제1장 서론 12
제1절 과제의 개요 12
제2절 국내.외 관련 기술의 현황 12
제3절 기술개발 시 예상되는 파급 효과 13
제2장 과제 수행 내용 14
제1절 최종 목표 및 평가 방법 14
제2절 개발 내용 및 개발 범위 14
제3장 과제 수행 결과 및 사업화 계획 25
제1절 연구개발 최종 결과 25
1. 연구개발 추진 일정 25
2. 연구개발 추진 실적 25
3. 연구개발 성과 26
제2절 연구개발 추진 체계 27
제3절 시장 현황 및 사업화 전망 27
1. 시장 현황 27
2. 사업화 계획 28
3. 향후 추가 기술 개발 계획 29
제4장 결론 30
제1절 향후 활용방안 30
제2절 지원효과 30
제3절 결론 30
참고문헌 31
[뒷표지] 32
그림 1. 4H-SiC의 에너지 밴드 위치와 다양한 stacking fault 에너지 대역 15
그림 2. 에타맥스에서 개발한 SiC PL mapping 분석을 위한 동시 4채널 분석이 가능한 광학계 16
그림 3. (a) 100 mm 4H-SiC 에피 웨이퍼 4채널 동시 분석 결과와 (b) 상세 결함의 4채널 분석 이미지 16
그림 4. SiC 에피 웨이퍼의 PL 분석 및 (b) X-ray topography 분석 결과, ① : 기판에 위치한 BPD, ② : 에피층에 위치한 BPD 17
그림 5. (a) BPD 에치핏 형상과, (b) 동일 영역의 PL mapping 결과 18
그림 6. (a) BPD가 확장된 영역에 있는 stacking fault의 PL mapping 결과와, (b) 열처리 전... 19
그림 7. 다양한 형태를 가지는 carrot 결함의 형상 이미지와 PL 분석 결과 20
그림 8. Carrot 결함의 u-PL 분석을 통한 게재된 polytype 분류 20
그림 9. (a) 75 mm SiC 웨이퍼의 bandedge emission 측정 결과, (b) non-contact resistivity measurement 측정 결과 21
그림 10. 에피층 두께 40 μm SiC 에피 웨이퍼 표면 step bunching 분석, 레이저 입사 방향이... 22
그림 11. 100 mm SiC 에피 웨이퍼의 PL 측정 이미지와 소재 수율 평가 defect cell map 및 상세 결함 정보 23
그림 12. 웨이퍼 공급사별 SiC 웨이퍼의 bandedge emission 측정 결과 24