IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 소자는 전류전도 능력이 뛰어난 소자이며, 큰 전력을 처리하기 위해 설계된 스위칭 디바이스로써 전원 공급 장치, 변환기, 태양광인버터, 가전제품 등에 널리 사용되고 있다. 이러한 IGBT는 파워 반도체 소자인 만큼 항복 전압과 온-상태 전압 강하, 스위칭 속도, 신뢰성의 이상적인 파워 반도체 소자의 요구사항을 목표로 하고 있다. 일반적으로 드리프트 영역의 농도를 낮추게 되면 항복 전압은 증가하지만 온 저항과 같은 기타 특성들이 감소하게 되므로 설계의 최적화 및 구조 변경을 통해 항복전압특성과 온 상태 전압강하 특성을 개선시켜야 한다. 이렇듯 IGBT 소자의 효율을 높이기 위해 Tread-off 관계를 최적화시키고자 여러 가지 구조들이 나오고 있다. 본 논문에서는 같은 항복전압을 가지면서 온 상태 전압강하를 낮출 수 있는 Field Stop 구를 가지는 IGBT를 제안하고 최적화된 NPT Planar IGBT와 Field Stop IGBT를 설계하여 두 소자의 전기적 특성을 비교 분석 및 고찰하였다.IGBT(insulated gate bipolar transistor) is outstanding device for current conduction capabilities. IGBT design to control the large power switching device for power supply, converter, solar converter,electric home appliances, etc. like this IGBT device can be used in many places so to increase the efficiency of the various structures are coming. in this paper optimization design of planar type IGBT and planar field stop IGBT, and both devices have a comparative analysis and reflection of the electrical characteristics.