표제지
목차
국문 초록 11
Ⅰ. 서론 13
1. 연구 배경 및 목적 13
2. 이론적 배경 17
2.1. 태양전지의 원리와 구동방식 17
2.2. Heterojuntion with Intrinsic Thin layer 태양전지 20
2.3. AFORS-HET 시뮬레이션 프로그램 22
2.4. 탠덤 태양전지 24
2.5. 페로브스카이트 태양전지 26
3. 실험 방법 28
3.1. 시뮬레이션 측정 실험 방법 28
3.2. HIT 태양 전지 실험 방법 30
3.3. Perovskite 태양 전지 실험 방법 32
Ⅱ. 본론 34
4. 실험 결과 34
4.1. (n) a-Si 특성 변화 34
4.2. (n) nc-Si 특성 변화 40
4.3. (n) nc-SiOₓ 특성 변화 (texturing) 46
4.4. (n) nc-SiOₓ 특성 변화 (flat) 51
4.5. Light current-voltage (LIV) 분석 58
4.6. Quantum Efficiency (QE) 분석 64
4.7. UV-VIS spectrophotometer 분석 70
Ⅲ. 결론 75
참고문헌 77
ABSTRACT 80
[표 1] 시뮬레이션에 사용된 HIT 태양 전지 파라미터 29
[표 2] HIT 태양 전지 공정 조건 31
[표 3] HIT 태양전지 LIV 파라미터 61
[표 4] pvk/HIT 태양전지 LIV 파라미터 63
[표 5] HIT 태양전지 QE 파라미터 66
[표 6] pvk/HIT 태양전지 QE 파라미터 68
[그림 1-1] 전 세계 태양전지 기술 시장 동향 15
[그림 1-2] 실리콘 태양전지의 밴드갭별 Shockley-Queisser limit 16
[그림 2-1] 태양전지 구동 방식 18
[그림 2-2] 태양전지의 다양한 종류 19
[그림 2-3] HIT 태양전지의 구성도 21
[그림 2-4] i-type a-Si:H layer의 매개변수 23
[그림 2-5] 탠덤 태양전지의 구조 25
[그림 2-6] 페로브스카이트 원자 구조 27
[그림 2-7] (n) a-Si 두께 및 밴드갭 가변 35
[그림 2-8] (n-a-Si) i-layer 두께 및 밴드갭 가변 37
[그림 2-9] (n-a-Si) p-layer 밴드갭 가변 39
[그림 2-10] (n) nc-Si 두께 및 밴드갭 가변 41
[그림 2-11] (n-nc-Si) i-layer 두께 및 밴드갭 가변 43
[그림 2-12] (n-nc-Si) p-layer 밴드갭 가변 45
[그림 2-13] (texturing nc-SiOₓ) 두께 및 밴드갭 가변 47
[그림 2-14] (texturing n-nc-SiOₓ) i-layer 두께 및 밴드갭 가변 48
[그림 2-15] (texturing n-nc-SiOₓ) p-layer 밴드갭 가변 50
[그림 2-16] (flat nc-SiOₓ) 두께 및 밴드갭 가변 52
[그림 2-17] (flat n-nc-SiOₓ) i-layer 두께 및 밴드갭 가변 53
[그림 2-18] (flat n-nc-SiOₓ) p-layer 밴드갭 가변 54
[그림 2-19] urbach energy 그래프 56
[그림 2-20] i-layer urbach energy 가변 57
[그림 2-21] Light I-V 장비 59
[그림 2-22] HIT 태양전지의 LIV curve 61
[그림 2-23] pvk/HIT 태양전지 LIV curve 63
[그림 2-24] Quantum Efficiency 장비 65
[그림 2-25] HIT 태양전지의 QE 그래프 67
[그림 2-26] pvk/HIT 태양전지 QE 그래프 69
[그림 2-27] UV-VIS 장비 사진 71
[그림 2-28] glass/pvk 투과율 그래프 72
[그림 2-29] Tauc plot을 이용한 에너지 밴드갭 도출 그래프 74