Nanotechnology 기반 반도체는 bulk 물질에서는 볼 수 없었던 특별한 특성을 보여 예전부터 그 중요성을 인식하여 많은 연구가 보고되어졌다. 특히 대표적인 nanotechnology 중 하나인 1차원 산화물 나노구조체는 광학적, 전기적 특성에 장점을 보여 광전소자에 많은 연구가 진행되어졌다. 그 중 산화물, 부도체, 금속 등을 이용한 다양한 형태의 나노구조가 적용된 고효율 광소자는 많은 연구가 진행되었다. 그러나 질화갈륨-나노구조-외부 공기 사이에 존재하는 굴절률 차이에 의한 광 효율 감소는 여전히 광 추출효율을 극대화시키는데 제한적인 요소이다.
본 연구에서는 GaN 기반 430nm 에미터 상부 p형 GaN 층에 계층적인 ZnO나노로드/NiO나노쉘 구조를 습식방법으로 성장시켜 기존 에미터 대비 2배 가까운 광 효율이 향상된 결과를 얻었다. 계층적인 ZnO 나노로드/NiO 나노쉘 구조는 진공장비의 사용 없이 저온 수열합성법을 통하여 손쉬운 성장이 가능하여 광전소자뿐만 아니라 다양한 나노기술 적용분야에 응용이 가능할 것으로 기대된다.