표제지
목차
국문 요지 8
제1장 서론 10
제2장 나노 부유 게이트 메모리 13
2.1. 양자점 13
2.2. 나노 부유 게이트 메모리 18
2.3. 나노 부유 게이트 메모리 소자의 기록/소거 메커니즘 20
2.3.1. 채널 고온 전자 주입 20
2.3.2. F-N 터널링 22
2.3.3. 전기적인 터널 효과에 의한 터널 방정식 24
제3장 금속 산화물 나노입자 제작 27
3.1. 폴리이미드 27
3.2. 폴리이미드 합성 28
제4장 실험 31
4.1. 폴리이미드내에 형성된 금속 산화물 나노입자 제작 31
4.1.1. 투과 전자 현미경 관찰을 통한 결과 32
4.1.2. 광학 특성 조사 결과 35
4.2. MOS 캐패시터 37
4.2.1. 소자 제작 및 구조 37
4.2.2. 전기적 측정 39
4.3. 나노입자 부유게이트 메모리 소자 43
4.3.1. 소자의 제작 및 구조 43
4.3.2. 전기적 측정 45
4.3.3. 수소 열처리 후 전기적 측정 47
4.4. 이중컨트롤 층을 가지는 MOS 캐패시터 51
4.4.1. 소자의 제작 및 구조 51
4.4.2. 전기적 측정 53
4.5. 이중컨트롤 층을 가지는 나노입자 부유게이트 메모리 소자 56
4.5.1. 소자의 제작 및 구조 56
4.5.2. 전기적 측정 58
제5장 결론 62
참고문헌 63
ABSTRACT 65
그림 2.1. 양자우물에서의 에너지 양자화 14
그림 2.2. 벌크, 양자 우물, 양자선 양자점 에서의 전자의 상태밀도 17
그림 2.3. 채널 고온 전자 주입에 의하여 기록되는 메커니즘 21
그림 2.4. FN 터널링에 의하여 소거되는 메커니즘 23
그림 3.1. 양생 공정에서의 화학반응 30
그림 3.2. 여러 가지 금속 산화물 나노입자 30
그림 4.1. 양생한 In₂O₃ 나노입자 (a) 평면 TEM 사진과 (b) 단면 TEM 사진 33
그림 4.2. In₂O₃ 나노입자의 SAD패턴 34
그림 4.3. In₂O₃ 나노입자의 흡수도 측정 36
그림 4.4. MOS 캐패시터 구조도 38
그림 4.5. (a)인듐 산화물 나노입자가 없는 소자 와 (b)인듐 산화물 나노입자가 포함된 소자의 C-V 이력곡선 41
그림 4.6. 인듐 산화물 나노입자가 포함된 소자의 Endurance 특성 42
그림 4.7. 나노입자 부유게이트 메모리 소자의 구조 44
그림 4.8. 나노입자 부유게이트 메모리 소자제작공정 44
그림 4.9. 인듐 산화물 나노입자가 포함된 나노입자 부유게이트 메모리 소자의 (a)출력 및 (b)subthreshold 특성 46
그림 4.10. 인듐 산화물 나노입자가 포함된 나노입자 부유게이트 메모리 소자의 전하 저장 특성 48
그림 4.11. 수소 열처리후 인듐 산화물 나노입자가 포함된 나노입자 부유게이트 메모리 소자의 수소 열처리후 (a)출력 및 (b)subthreshold 특성 49
그림 4.12. 수소 열처리후 인듐 산화물 나노입자가 포함된 나노입자 부유게이트 메모리 소자의 전하 저장 특성 50
그림 4.13. 이중 컨트롤 게이트를 가지는 MOS 캐패시터의 구조 52
그림 4.14. 이중 컨트롤 층을 가지는 소자의 (a)나노입자가 없는 소자 와 (b)인듐 산화물 나노입자가 포함된 소자의 C-V 이력곡선 54
그림 4.15. 이중 컨트롤 층을 가지는 소자의 endurance 특성 55
그림 4.16. 이중 컨트롤 층을 가지는 나노입자 부유게이트 메모리 소자의 구조 57
그림 4.17. 이중 컨트롤 게이트를 가지는 나노입자 부유게이트 메모리 소자의 subthreshold 특성 59
그림 4.18. 이중 컨트롤 게이트를 가지는 나노입자 부유게이트 메모리 소자의 (a)기록/소거 속도 특성 및 (b)기록/소거 전압 60
그림 4.19. 이중 컨트롤 층을 가지는 나노입자 부유게이트 메모리 소자의 전하 저장 특성 61